据Digitimes报道，据晶圆厂工具制造商的消息人士透露，台积电已将产能扩张的重点放在3nm工艺制造和该代工厂在美国的先进晶圆厂。
消息人士称，台积电在下调今年的资本支出前景后，将放缓产能扩张步伐，以及代工厂的先进封装产能扩张。尽管如此，消息人士表示，计划扩大其在中国台湾南部的工厂场地以进行3nm工艺制造，以及其在美国亚利桑那州的新晶圆厂项目仍在按计划进行。
台积电正在Fab 18建造新设施，用于3nm工艺制造。消息人士指出，Fab 18位于中国台湾南部科学园(STSP)，据信是台积电(TSMC)主要3nm晶圆厂的所在地。
消息人士指出，英特尔报道延迟将3nm晶圆从台积电开始投产可能会扰乱代工厂增加3nm芯片产量的计划，这将主要来自台积电在宝山地区（中国台湾北部新竹）的新工厂。据报道，台积电决定将其位于宝山地区的新gigafab的P8和P9设施转换为专门为英特尔服务的3nm工艺制造。
至于台积电在亚利桑那州的新晶圆厂，已于2021年开工建设。据业内人士透露，该代工厂计划在12月举行晶圆厂仪式，该晶圆厂将直接进入5nm芯片生产，标志着首批晶圆厂设备的安装。台积电有望在2024年使其美国晶圆厂投产。
不断升级的贸易冲突和地缘政治紧张局势给芯片制造市场增添了阻力，促使台积电和中国台湾晶圆代工企业下调了2022年的资本支出目标，并对明年的支出持谨慎态度。联电、VIS、力积电以及包括南亚科技等在内的内存代工厂，以及日月光封测厂等都下调了今年的资本支出预期。
