通信世界网消息（CWW）近日，有媒体爆料，三星在近日举办的 2021 代工论坛上，展示了其最新的公共技术路线图。初代 3nm GAE 工艺较预期晚了一年转入量产，并且新路线图表明它可能仅供内部使用。三星代工厂对其使用全环栅 (GAA) 晶体管或三星称之为多桥沟道场效应晶体管 (MBCFET) 的3纳米级工艺技术的计划进行了一些更改，作为 3GAE 的继任者，3GAP 节点仍在官方路线图上，可知其有望于 2023 年实现量产。
（来自：微博 @科技芯时空）
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三星有望在2022年实现3nm GAE芯片制造工艺的部署
责任编辑：朱文凤
2021.07.12 10:32
来源：通信世界全媒体
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