通信世界网消息（CWW）近日，据相关媒体报道，由杭州昕原半导体主导建设的国内首条28/22nm ReRAM（阻变存储器）12寸中试生产线顺利完成了自主研发设备的装机验收工作，实现了中试线工艺流程的通线，并成功流片。
近年来，能够突破性能与技术瓶颈的第四代存储器/新型存储器，如PCM（相变存储器）、FeRAM（铁电存储器）、MRAM(磁性存储器)及ReRAM(阻变存储器)逐渐受到市场的关注。ReRAM写入寿命可达100万次，但生产难度较大，而该生产线拥有自主可控的知识产权，使得相关产品的快速实现变成了可能。
资料显示，昕原半导体致力于打造基于ReRAM技术的新型存储产品及相关衍生品，重新定义存储、智能计算和安全，服务于AIoT、人工智能、数据中心、智能汽车等新兴应用，是一家集核心技术、工艺制程、芯片设计、IP授权和生产服务于一体的新型IDM公司。该公司的核心产品覆盖高工艺嵌入式存储、高密度非易失性存储、存内计算及存内搜索等多个领域。
