2月9日，市场研究公司Counterpoint Research在当地时间2月2日的《2 月内存价格追踪报告》中指出，在2026Q1尚未结束的情况下，存储半导体产品价格目前已相较2025Q4上涨多达90%，一般 DRAM、HBM、NAND 的价格均创下历史新高，存储半导体迎来前所未有的创纪录暴涨。
本轮上涨的主要推手是通用服务器 DRAM 价格大幅攀升，64GB RDIMM 的价格已从 450 美元升至 900 美元，且有望在 2026Q2 涨至 1000 美元上方。此外，2025Q4 表现相对平稳的 NAND 闪存在第一季度也同步上涨 80~90%。叠加部分 HBM3e 产品价格走高，市场正呈现全品类、全板块全面加速上涨态势。
智能手机厂商正在削减设备 DRAM 容量，或采用性价比更高的 QLC 方案替代 TLC。与此同时，目前供应紧张的 LPDDR4 订单明显下滑，而支持最新 DRAM 标准的全新入门级芯片陆续推出，带动 LPDDR5 订单持续增长。
为应对这一市场变化，OEM 正减少单款设备的内存配置，或优先推出搭载 LPDDR5（IT之家注：这一品类受影响相对较小）的高端产品线。
Counterpoint 高级分析师 Jeongku Choi 表示：对设备厂商而言，这是双重打击 —— 零部件成本上涨叠加消费者购买力减弱，随着本季度推进，需求很可能放缓。这就要求 OEM 改变采购模式，或聚焦高端机型，通过为消费者提供更多价值来支撑更高的产品定价。
存储器行业盈利水平预计将达到前所未有的高度。2025 年第四季度，DRAM 营业利润率已达到 60% 区间，这是通用 DRAM 利润率首次超过 HBM。2026 年第一季度，DRAM 利润率将首次突破历史峰值。尽管如此，这一水平要么成为新的常态，要么形成极高的基准 —— 当前看似稳固，但一旦进入下一轮下行周期（若发生），市场表现可能会更加惨淡。
