通信世界网消息（CWW）当地时间8月7日，SK海力士宣布，将投资54.3万亿韩元（约383亿美元），在韩国龙仁和清州新建两座晶圆厂，扩大高带宽存储器（HBM）、下一代DRAM及NAND闪存产能。其中，龙仁Y2工厂计划于2029年启用首个洁净室，清州M17工厂预计于2028年底开放首个洁净室，两座工厂均将在2031年前完成投资。
SK海力士表示，公司将继续采取“基础设施先行、设备按需投入”的策略，先完成厂房及配套设施建设，后续洁净室扩建及生产设备将根据客户需求逐步投入，以灵活应对AI时代持续增长的存储需求。截至发稿，SK海力士ADR涨0.64%。
