通信世界网消息（CWW）6月2日，晶圆代工龙头台积电举办线上技术论坛，分享最新的技术发展和产业动向。台积电首席执行官 CC Wei 博士表示：“数字化转型为半导体行业开辟了一个充满机遇的新世界。我们的全球技术研讨会强调了我们增强和扩展技术组合以释放客户创新的许多方式。”
今年是台积电连续第二年采用线上形式举行技术论坛，与客户分享台积电最新的技术发展，包括支持下一代5G智能手机与WiFi6/6e效能的N6RF制程、支持最先进汽车应用的N5A制程、以及3DFabric系列技术的强化版。
继续保持先进制程的领先地位
在论坛上，台积电介绍了 N5（5纳米）、N4（4纳米）、N5A（5纳米A）、以及N（3 纳米）制程技术的情况。台积电总裁魏哲家表示：“4纳米制程技术进展顺利，预计2021年第3季开始试产，较先前规划提早一季时间，3纳米制程则将依计划于2022年下半年量产。”
具体来看，台积电将率先在2020年将 5纳米技术投入量产，缺陷密度的改善速度比前一代7纳米更快。台积电 N4 自在 2020 年技术研讨会上宣布以来进展顺利，风险生产定于 2021 年第三季度。
台积电推出N5A，此工艺旨在满足更新和更密集的汽车应用对计算能力不断增长的需求，例如支持 AI 的驾驶员辅助和车辆驾驶舱的数字化。N5A 将先进超级计算机中使用的相同技术引入车辆中，在满足 AEC-Q100 Grade 2严格的质量和可靠性要求以及其他汽车安全和质量标准的同时，搭载了N5的性能、功率效率和逻辑密度。台积电N5A得到了台积电汽车设计支持平台的支持，并计划于2022年第三季度上市。
台积电的N3技术依靠经过验证的 FinFET 晶体管架构以实现最佳性能、功率效率和成本效益，N3将提供高达15%的速度增益，功耗比N5降低30%，并提供高达70%的逻辑密度增益。
5G时代的先进射频技术——N6RF
台积电指出，与4G相比，5G智能手机需要更多的硅面积并消耗更多的电量才能提供更高的无线数据速率。支持5G的芯片集成了更多功能和组件，并且尺寸越来越大，并与电池竞争智能手机内部有限的空间。
基于上述考虑，台积电首次推出N6RF工艺，将其先进的N6逻辑工艺的功耗、性能和面积优势带到5G射频(RF)和WiFi6/6e解决方案中。比之上一代16nm射频技术，N6RF晶体管的性能提高超过16%。
此外，N6RF支持6GHz以下和毫米波频段的5G射频收发器提供降低功率和面积的同时，保证为消费者提供性能、功能和电池寿命方面的优质体验。N6RF还将增强WiFi 6/6e性能和电源效率。
新焦点：台积电发布3DFabric系统集成解决方案
台积电继续扩展其全面的3DFabric系列3D硅堆叠和先进封装技术，在会议上讲述了3DFabric系统整合解决方案。
对于高性能计算应用，台积电将在2021年为其InFO_oS和CoWoS®封装解决方案提供更大的光罩尺寸，从而为小芯片和高带宽内存集成提供更大的平面图。此外，TSMC-SoIC™的片上芯片(CoW)版本将在今年完成7纳米对7纳米的验证上获得认证，并计划于2022年在全新的工厂生产。
对于移动应用，台积电推出其 InFO_B 解决方案，旨在将强大的移动处理器集成在纤薄、紧凑的封装中，具有增强的性能和电源效率，并支持移动设备制造商在封装所需的DRAM堆叠。
此外，台积电高管表示，台积电投资120亿美元的美国亚利桑那州晶圆厂已经动工，台积电CEO魏哲家6月1日也表示这座5nm工厂会在2024年完工。
据悉，近期美国宣布推出高达540亿美元的半导体扶持计划，除了Intel之外，三星、台积电也在积极争取这份高额补贴，因此，台积电有可能扩大在美国建厂的晶圆厂数量。
