通信世界网消息（CWW）近日，法国知名半导体咨询机构Yole Développement发布了有关全球碳化硅（SiC）的最新调研报告。报告显示，SiC器件市场将在2027年达到63亿美元。
该机构资深分析师Poshun Chiu评论说：“SiC是功率半导体发展的助推器，在1200V高压领域也有不小的发展空间。随着更多车用800V高压快充不断推向市场，预计SiC器件将在未来得到快速增长。”
意法半导体、Wolfspeed、安森美和英飞凌科技在内的不少在SiC有深入布局的公司都宣布了他们的长期和短期目标。尽管每个参与者选择的路径不同，但他们之间商业模式的路线图都很清晰。中国大陆的半导体企业，涉及到SiC业务的有超过50家，如下图：
意法半导体的SiC模块已经在特斯拉Model 3中有过长达数年的应用，并且该公司也在拓展自己的8英寸SiC晶圆厂。安森美在2021年迈出重要一步，收购了一家SiC晶圆供应商-GT Advanced Technologies，英飞凌2021年SiC器件业务的增长率高达126%，远远超出该企业57%的平均增长速度。英飞凌开发的800V快充中标现代汽车Ioniq5，加上其在工业应用方面的基础坚实，从而走向了快车道。
Wolfspeed表示未来的业务会主要集中在SiC上。该公司几年前决定进行重大重组，出售了其LED业务。凭借在SiC晶圆领域的领导地位，Wolfspeed已经开始上马8英寸晶圆厂。同时，ROHM在收购Si Crystal之后，也在不断扩大SiC器件和晶圆的产能，进行垂直整合。而II-VI公司通过展示车规级1200V器件，加深了和通用电气的合作关系。
报告显示，SiC初始晶圆成本占1200V SiC MOSFET的外延片成本的60%以上。8英寸SiC晶圆是扩大生产规模的关键一步，IDM正在开发其8英寸SiC晶圆的制造能力，但在Yole看来，就SiC功率半导体而言，6英寸仍将是未来五年的领先平台。8英寸平台也将在2022年开始批量上马。
相关技术方面，DISCO已经开发了激光切割技术以提高产量，而英飞凌已经掌握了Cold Split技术进行量产。报告显示，未来五年，SiC的主要应用场景依然是电动汽车领域。
