通信世界网消息（CWW）复旦大学集成芯片与系统全国重点实验室周鹏、包文中联合团队成功研制全球首款基于二维半导体材料的32位RISC-V架构微处理器“无极”。
据介绍，该成果突破二维半导体电子学工程化瓶颈，首次实现 5900 个晶体管的集成度，并在国际上实现二维逻辑芯片最大规模验证纪录，是由复旦团队完成、具有自主知识产权的国产技术，使我国在新一代芯片材料研制中，占据先发优势。
“反相器是一个非常基础且重要的逻辑电路，它的良率直接反映了整个芯片的质量。”复旦大学微电子学院教授周鹏介绍，二维材料不像硅晶圆可以通过直拉法生长出高质量的大尺寸单晶，而是需要通过化学气相沉积（CVD）法来生长，这就导致了材料本身的缺陷和不均匀性。本项研究中的反相器良率高达99.77%，具备单级高增益和关态超低漏电等优异性能，这是一个工程性的突破。
团队通过柔性等离子（Plasma）处理技术等低能量工艺，对二维半导体表面进行加工，从而避免了高能粒子对材料造成的损害，充分发挥出二维半导体的优势，也确保芯片质量。
另外，成果产品具备单级高增益和关态超低漏电等优异性能。团队通过严格的自动化测试设备测试，验证了在1kHz时钟频率下，千门级芯片可以串行实现37种32位RISC-V指令，满足32位 RISC-V整型指令集（RV32I）要求。其集成工艺优化程度和规模化电路的验证结果，均达到了国际同期最优水平。
